2026년 4월 23일 · Unknown · financial · 출처 Yahoo Finance
POC 테스트 칩, 성숙한 3D 낸드 기반 공정으로 양산 가능성 입증 및 주요 DRAM 성능 벤치마크 충족
[새너제이, 캘리포니아, 2026년 4월 23일 / PRNewswire] -- 첨단 AI 및 메모리 기술 분야의 선도적 혁신 기업인 네오 반도체(NEO Semiconductor)가 자사의 3D X-DRAM™ 기술에 대한 개념 증명(POC) 결과를 성공적으로 발표했다. 이는 AI 및 데이터 중심 시스템을 위한 차세대 고집적 메모리 솔루션을 향한 중요한 이정표다.
회사는 또한 에이서(Acer) 창업자이자 전 회장 겸 CEO이며, 20년 이상 TSMC 이사로 재직한 스탠 쉬(Stan Shih)가 주도하는 새로운 전략적 투자를 발표했다. 글로벌 기술 선구자이자 기업가로서 존경받는 쉬 회장의 참여는 네오의 기술과 비전에 대한 강한 신뢰를 반영하며, 회사의 차기 개발 단계를 지원할 예정이다.
POC 테스트 칩은 3D X-DRAM이 기존 장비, 재료 및 비용 효율적인 공정을 포함한 기존 3D 낸드 인프라를 사용하여 제조될 수 있음을 입증했다. 이미 300단 이상으로 양산 중인 3D 낸드의 성과를 바탕으로, 이번 결과는 견고한 전기적 성능과 신뢰성을 검증하면서 차세대 고집적 3D DRAM을 위한 길을 열었다.
주요 POC 결과는 다음과 같다:
- 읽기/쓰기 지연 시간: 10ns 미만
- 데이터 보존 시간: 85°C에서 1초 이상 (JEDEC 표준 64ms 대비 15배 향상)
- 비트라인 간섭: 85°C에서 1초 이상
- 워드라인 간섭: 85°C에서 1초 이상
- 내구성: 10¹⁴ 사이클 이상
네오 반도체의 창업자 겸 CEO인 앤디 쉬(Andy Hsu)는 "이번 결과는 DRAM의 새로운 스케일링 경로를 입증했다"며 "이 기술은 AI 시대에 훨씬 더 높은 집적도, 낮은 비용, 향상된 에너지 효율성을 가능하게 할 것이라고 믿는다. 기존 3D 낸드 제조 공정과 생태계를 활용함으로써 3D DRAM을 현실화하는 것을 목표로 한다"고 말했다.